Einer der wichtigsten Prozessparameter für die Züchtung von GaN ist seine temperaturabhängige Löslichkeit im überkritischen Ammoniak. Im Rahmen dieses Teilprojektes wurde die Temperatur- und Mineralizatorkonzentrationsabhängigkeit der Löslichkeit von GaN untersucht. Gravimetrisch wurde ein retrogrades Löslichkeitsverhalten von GaN im ammonobasischen System im Temperaturbereich von 400°C - 550°C festgestellt. Im Bereich von 350°C - 400°C zeigte die Löslichkeit eine positive Temperaturabhängigkeit. Das Löslichkeitsmaximum wurde bei 400°C erreicht.

Für die Bestimmung der bisher unbekannten Löslichkeiten der basischen Mineralisatoren im überkritischen Ammoniak konnte durch eine neu erprobte Ankopplungstechnik eine Messmethode basierend auf in situ Ultraschallgeschwindigkeitsmessung entwickelt werden. Erstmalig konnte damit Schallgeschwindigkeiten bis zu 520°C im überkritischen Ammoniak gemessen werden.